开云(中国)官网 伊莱克特伦苦求用于投降离子阱中永磁体体式的门径专利, 使磁场的强度梯度最大化
发布日期:2026-03-27 15:29 点击次数:54
国度常识产权局信息默契,伊莱克特伦有限公司苦求一项名为“用于投降麇集在离子阱中的两个永磁体的体式的门径、系统、离子阱、蓄意机设施和蓄意机可读存储介质”的专利,公开号CN121753119A,苦求日历为2024年9月。
专利节录默契,提供了一种用于投降麇集在离子阱(1)中的两个永磁体(2)的体式的门径,门径包括:‑提供第一函数,第一函数用于表征两个永磁体(2)在横向方朝上的苟且体式,况且两个永磁体(2)在竖直方朝上具有预定厚度(6),环球体育以及‑取决于第一函数,提供第二函数,第二函数用于表征两个永磁体(2)所配置的磁场,‑提供第一敛迹,开云体育(中国)官方网站第一敛迹用于表征在横向标的和竖直方朝上磁场必须清除的预定点(7),‑取决于第一敛迹,投降取决于第二函数的泛函的极值,以及‑取决于极值,投降两个永磁体(2)的体式,使得磁场的强度的梯度在两个永磁体(2)上方最大化,其中磁场在预定点(7)处清除。此外,提供了一种系统、离子阱(1)、蓄意机设施和蓄意机可读存储介质。
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